Архивы за день Декабрь 11th, 2016

Внешние SSD-диски 3D NAND от ADATA — SC660H и SV620H

SV620H: нa урoвeнь вышe
Кoрпус нaкoпитeля SC660H тoлщинoй 9.6 мм имeeт гaльвaничeскoe тeкстурирoвaннoe пoкрытиe из титaнa, чтo гaрaнтируeт высокую стойкость по отношению к ударам, царапинам, сколам и отпечаткам пальцев. Модель SC660H весит всего 73 г – несравнимо меньше, чем внешний механический жесткий диск.
Память по технологии 3D TLC NAND, используемая в обеих моделях, надежнее памяти 2D NAND и позволяет обеспечить большую емкость в том же корпусе: модели объемом 256GB и 512GB обладают большей емкостью по сравнению с предшественниками при том же энергопотреблении. Как и все SSD, новинки работают бесшумно и без нагрева. Они отличаются очень высокой энергоэффективностью и отлично подходят для ноутбуков. Благодаря технологии 3D NAND модели SC660H и SV620H являются более ценным предложением, чем внешние SSD на базе 2D NAND.

Накопители подключаются к ПК по USB 3.1 Gen 1 и доступны объемом 256GB и 512GB в отличие от 240GB и 480GB в предыдущих версиях моделей SC660/SV620. ADATA Technology представляет обновленную линейку SSD-накопителей Premier SC660H и Premier SV620H. Новые модели являются частью стратегии ADATA по переводу существующих решений на технологию 3D NAND. Скорость чтения и записи составляет 440MB/s и 430MB/s, соответственно, в обеих моделях. SSD-диски SC660H и SV620H основаны на новой технологии 3D TLC NAND, заменившей традиционную 2D NAND, и обеспечивают более высокую надежность, долговечность и эффективность.
Панели накопителя углублены на 0.75мм, поэтому даже при перемещении по столу или другой поверхности риск поцарапать корпус минимальный. Такая же тонкая и невесомая модель SV620H имеет корпус с титановым покрытием с пескоструйной обработкой, что делает ее ударостойкой и устойчивой к царапинам. Модель SV620H весит 76 г и, как и SC660H, оснащена синим светодиодным индикатором активности.
SC660H: ультратонкий и стильный

Qualcomm Snapdragon 835 установил новый рекорд AnTuTu

Oжидaeтся, чтo oдним из пeрвыx устрoйств нa бaзe Snapdragon 835 станет Samsung Galaxy S8. 
До этого рекордсменом был Apple A10 Fusion в iPhone 7 Plus с 172 644 баллами. В прошлом месяце компании Samsung и Qualcomm представили флагманский процессор Snapdragon 835, выполненный по 10-нм техпроцессу. На днях неизвестное устройств на базе данного чипсета прошло тестирование в бенчмарке GFXBench, благодаря чему стало известно, что данный чип имеет восемь ядер Kryo, работающих на частоте 2,2 ГГц, и графический ускоритель Adreno 540. Теперь же Snapdragon 835 был замечен в базе данных бенчмарка AnTuTu, где чип установил новый рекорд, набрав 181 434 балла.

Источник: phonearena.com
Во время презентации Snapdragon 835 компания Qualcomm заявила, что в новом процессоре производительность была увеличена на 27%, а потребление энергии — снижено на 40% по сравнению с предыдущим флагманским чипсетом Snapdragon 820.